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2025-07-02 14:09:04
（c）纯锌箔、浙江PVB@Zn箔和PVB的XRD。
d晶体管2015年，衢州Zhu[4]等人基于π-d共轭MOFCu-BHT薄膜制造了一种FET器件，该器件表现出双极性行为。2009年第一例导电MOF报道以来，浙江这类材料就迅速吸引了各类顶尖研究人员的注意，浙江鲍哲南，MirceaDinca等大牛纷纷展开研究，但是直到2015年，导电MOF的电导率达到了1580S cm-1，完全满足各类电学相关应用的要求之后，才在材料领域真正掀起了一股热潮。
具有较大离子半径的金属阳离子会延长金属羧酸盐链的长度，衢州这可能会夹住TTF堆栈，从而导致更短的分子间S···S距离。目前，浙江导电MOF中可能的载流子传输模式可以分别从化学和物理角度描述：浙江（1）从物理角度，跳跃（hopping）理论和能带（band）理论能够反映出导电MOF本征的电荷传输性质。c超级电容器Sheberla[13]等首先将二维导电MOFNi3(HITP)2单独作为电极材料制成超级电容器，衢州没有其他导电添加剂或粘合剂，衢州该超级电容器在0.05Ag-1的放电速率下具有18 μFcm-2的高面电容，并且具有出色的容量，在2Ag-1的电流密度下10,000个循环中容量保持率90％。
I2是使用最广泛的掺杂剂，浙江早期，浙江Kobayashi[9]报告了一个非常典型的例子，在50℃下将Cu[Ni(pdt)2]膜暴露于I2蒸气会使Cu[Ni(pdt)2]的电导率从1×10-8 Scm-1增大到1×10-4Scm-1，活化能从0.49eV下降到0.18eV。用四硫富瓦烯-四苯甲酸酯(H4TTFTB)合成Zn2(TTFTB) MOF，衢州该MOF包含角共享八面体配位的Zn2+的螺旋链和由四硫富瓦烯和苯甲酸酯的柱状叠层构成的无限一维通道（图4）。
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